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智通財經APP獲悉，在人工智能數據中心無比強勁需求的推動下，DRAM/NAND系列存儲價格將繼續飆升，美國兩大超級存儲巨頭——美光科技(MU.US)以及閃迪(SNDK.US)在週三美股科技股強勢大反彈之際再度成爲全球投資者關注焦點，兩者股價在週三美股收盤時單日均大幅上漲近6%，帶動存儲板塊以及納斯達克指數大舉反攻。法國巴黎銀行(BNP PARIBAS)近日發佈研報稱，DRAM合約價在2026自然年一季度料環比大漲90%，長期以穩健價格曲線著稱的NAND則有望大幅上漲55%，而且二季度將延續自2025年下半年以來的漲價軌跡。

法巴銀行對於存儲價格的漲勢判斷並不是孤立觀點。TrendForce最近將2026年第一季度的常規DRAM合約價預期從此前預估的季增55%-60%上修到+90%至+95%(QoQ，即環比基準)、NAND Flash合約價格則大幅上修到+55%至+60% QoQ，並指出北美雲計算廠商們對enterprise SSD(即數據中心企業級SSD，eSSD) 的需求激增，推動其價格在第一日曆季度還將再漲53%至58% QoQ。這些都說明一個關鍵事實：存儲芯片成爲AI超級大浪潮裏不遜於英偉達AI芯片的“絕對C位”，並且仍是這輪浪潮中最先出現供需失衡、最先體現定價權的核心供應瓶頸之一。

存儲價格瘋漲之勢停不下來，法巴銀行看好美光與閃迪繼續狂飆

來自法巴銀行的資深分析師Karl Ackerman在給客戶的一份報告中寫道：“我們對自然年第一季度50多種(動態隨機存取存儲器,DRAM) SKU和75多種NAND SKU合約價格的深度分析，使我們預估整體動態隨機存取存儲器平均售價在自然年第一季度可環比大幅上漲90%，隨後在自然年第二季度再環比大漲;核心原因在於不斷增長的AI服務器需求正在推動更廣泛的供需失衡，從而對價格形成持續上行壓力。”

“對於NAND系列存儲產品，我們預測自然年第一季度價格可能環比大幅上漲55%，隨後在自然年第二季度再度實現環比上漲，這一走勢主要由供給側動態不平衡所驅動，因爲NAND供應商們持續將產能轉向企業級高性能NAND存儲產品，同時在新增產能方面仍保持極度審慎。”

分析師Ackerman給予美光高達500美元的12個月內目標價，並給予閃迪高達650美元的目標價。截至週三美股收盤，美光收漲5.55%至400.77美元，閃迪股價收漲5.95%至599美元，法巴銀行的目標價意味着兩者自2025年以來的強勁牛市軌跡尚未完結。

進一步深入來看，法巴銀行的Ackerman指出，2月份現貨價格表現更加強勁，而且考慮到現貨價格與未來合約價格之間的相關性，隨着合約續簽臨近，這對整個存儲芯片行業而言是個非常樂觀的好兆頭。

Ackerman解釋稱：“在上行週期中，DRAM和NAND現貨價格往往會較合約價格存在顯著溢價。2月份的市場定價顯示，消費電子級DDR4現貨價格環比上漲11%(意味着同比大幅上漲1284%)至21.93美元/GB，而合約價格環比上漲7%(英偉達同比上漲688%)至12.17美元/GB，這意味着現貨價格較合約價格溢價80%。類似地，消費電子級DDR5系列現貨價格環比上漲9%(意味着同比上漲673%)至19.13美元/GB，而合約價格環比上漲3%(同比上漲384%)至11.04美元/GB，這意味着現貨價格較合約價格溢價73%。”

另外，週三多家海外媒體報道稱，存儲行業的最大規模巨頭三星已經把動態隨機存取存儲器(即DRAM系列存儲產品)價格大幅上調逾100%。據韓國電子新聞，三星電子已於上月與蘋果等最大客戶們完成一季度DRAM供貨價格的最終談判，服務器、PC及移動端通用DRAM均價較上季度上漲約100%，價格較去年四季度翻倍，部分客戶及產品的漲幅甚至超過100%。該報道援引業內知情人士透露，談判已全面收尾，部分海外客戶已完成付款。這一漲幅較今年1月協商的70%水平，在短短一個月內再度擴大約30個百分點。

價格的快速攀升正在重塑全球存儲行業的長期合同慣例，尤其是GPU/TPU體系對HBM、DRAM、企業級SSD的愈發依賴導致供需長期不平衡。供貨談判週期已從傳統的年度合同壓縮至季度合同，如今甚至需要按月調整，折射出存儲芯片市場供需失衡的嚴峻程度。

“谷歌AI算力鏈”以及“英偉達GPU鏈”都離不開存儲

無論是谷歌主導的無比龐大TPU AI算力集羣，抑或海量英偉達AI GPU算力集羣，均離不開需要全面集成搭載AI芯片的HBM存儲系統，且除了HBM，當前谷歌與OpenAI科技巨頭們加速新建或擴建AI數據中心還必須大規模購置服務器級別DDR5存儲以及企業級高性能SSD/HDD等存儲解決方案;不同於希捷與西部數據集中於壟斷近線大容量HDD，閃迪聚焦高性能eSSD，三星電子、SK海力士以及美光這三大存儲芯片原廠正好同時卡在多個核心存儲領域：HBM、服務器DRAM(包括 DDR5/LPDDR5X)、以及高端數據中心企業級SSD(eSSD)，是“AI內存+存儲棧”裏最直接的受益者勢力，這些存儲領軍者們可謂共同吃到AI基建“超級紅利”。

從底層硬件理論看，AI計算本質上不僅是被算力端限制，也被“數據搬運能力”限制。英偉達GPU也好，TPU算力體系也罷，真正決定大模型訓練與推理效率的，不僅是Tensor Core/矩陣單元數量，而是每秒能以多高帶寬把權重、KV cache、激活值和中間張量喂進計算核心。

站在半導體與 AI 數據中心基礎設施的交叉分析視角，存儲芯片之所以“完美卡位”AI 浪潮，是因爲它同時吃到訓練擴張與推理擴張兩條主線，而且它還是跨平臺、跨架構、跨生態的“通用收費站”。當AI時代從訓練主導轉向推理、Agent、長上下文、檢索增強主導時，系統對容量、帶寬、功耗效率和數據持久層的需求只會更強。

谷歌的一份官方文檔明確寫到，Cloud TPU具備HBM(高帶寬存儲器)，以支持更大參數模型和batch size;其面向“推理時代”的 Ironwood TPU則進一步提升了HBM容量與帶寬。英偉達這邊主導的AI GPU算力體系則更直接：Blackwell Ultra架構的單顆GPU最多配備288GB HBM3e，而GB300 NVL72 機架級系統則是圍繞超大HBM容量來提升長上下文推理吞吐規模。換句話說，沒有 HBM，GPU/TPU 的峯值算力根本無法被有效兌現;存儲帶寬與容量，決定了大模型“能不能跑大、跑快、跑滿”。

此外，AI數據中心真正依賴的存儲系統，從來不只HBM。完整的AI存儲層次其實是：HBM負責離加速器最近的高速供數，DDR5/RDIMM/LPDRAM負責主機內存擴展與數據預處理，企業級SSD則負責訓練數據集、檢查點、向量庫、RAG檢索和推理緩存等持久化數據通路。比如美光官方就把AI數據中心存儲解決方案定義爲覆蓋訓練與推理的“完整存儲器件組合”;同時也明確表示，其eSSD產品線用於讓AI pipeline在訓練和推理中維持高效數據供給。TrendForce也指出，隨着AI推理時代到來，北美雲計算巨頭們正迅速增加高性能存儲採購，其中eSSD 需求遠超預期。也就是說，AI GPU集羣離不開存儲，Google TPU集羣同樣離不開存儲——區別只在加速器品牌不同，但數據存儲底層都必須建立在HBM+服務器DRAM+ NAND/SSD的完整金字塔之上。

花旗集團的分析師們在其最新的存儲價格展望中，展現了比瑞銀、野村和摩根大通更爲激進的“存儲超級週期”立場。花旗的分析師們認爲，受AI Agent(即AI智能體代理式工作流)普及和AI CPU內存需求激增的驅動，存儲芯片價格將在2026年出現失控式上漲，因此將2026年DRAM的平均售價(ASP)漲幅預期從原本的53%暴力上調至88%，NAND的漲幅預期從44%上調至74%;受AI訓練和推理需求的雙重推動，2026年服務器DRAM的ASP有望同比暴漲144%(此前預測爲+91%);以主流產品64GB DDR5 RDIMM爲例，花旗預測其價格將在2026年第一季度達到620美元，環比增長38%，遠高於此前預測的518美元。

在NAND領域，花旗的預測同樣激進，將2026年的ASP增長預期從+44%上調至+74%;其中，企業級SSD的ASP預計將同比增長87%。在花旗的分析師們看來，存儲芯片市場將進入一個極其劇烈的賣方市場，定價權將完全掌握在三星、SK海力士以及美光、閃迪等存儲巨頭手中。